半導體材料的霍爾效應是表征和分析半導體材料的重要手段，可根據霍爾系數的符號判斷材料的導電類型?；魻栃举|上是運動的帶電粒子在磁場中受洛侖茲力作用引起的偏轉，當帶電粒子（電子或空穴）被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直于電流和磁場的方向上產生正負電荷的聚積，形成附加的橫向電場。

根據霍爾系數及其與溫度的關系可以計算載流子的濃度，以及載流子濃度同溫度的關系，由此可以確定材料的禁帶寬度和雜質電離能；通過霍爾系數和電阻率的聯合測量能夠確定載流子的遷移率，用微分霍爾效應法可測縱向載流子濃度分布；測量低溫霍爾效應可以確定雜質補償度。與其他測試不同的是霍爾參數測試中測試點多、  連接繁瑣，計算量大，需外加溫度和磁場環(huán)境等特點，在此前提下，手動測試是不可能完成的。

普賽斯儀表開發(fā)的霍爾效應測試系統(tǒng)可以實現幾千到至幾萬點的多參數自動切換測量，系統(tǒng)由S系列國產源表，2700矩陣開關和S型測試軟件等組成。可在不同的磁場、溫度和電流下根據測試結果計算出電阻率、霍爾系數、載流子濃度和霍爾遷移率，并繪制曲線圖。在半導體制程的晶圓基片和離子注入等階段，或者封裝好的霍爾器件需要做霍爾效應的測試。

需要測試的參數：

電阻率

霍爾系數

載流子濃度

霍爾遷移率特性曲線

范德堡法 

需要的儀器列表：

國產S型源表

開關

變溫器

可變磁場

軟件

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